于威
,
郭亚平
,
杨彦斌
,
郭少刚
,
赵一
,
傅广生
功能材料
采用铝诱导非晶硅薄膜晶化技术制备了多晶硅薄膜,并研究了多晶硅的成核和生长特性。非晶硅薄膜采用等离子体增强化学气相沉积法制备,其表面沉积铝薄膜后经不同温度的氮氛围退火处理。结果表明,退火后的硅薄膜层与铝层发生置换,所生长的多晶硅颗粒的平均尺寸约为150nm。X射线衍射分析结果揭示,薄膜的晶向显著依赖于退火温度,较低温度下,铝诱导晶化速率较慢,薄膜的优化晶向与非晶硅薄膜中团簇的初始原子排列趋势紧密相关。而较高温度下,铝诱导晶化促使多晶硅（111）择优成核及随后的固相生长。
关键词:
铝诱导晶化法
,
多晶硅薄膜
,
低温退火
,
定向生长
王宙
,
曹健
,
室谷贵之
,
付传起
功能材料
采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上沉积1层非晶硅薄膜,再通过铝诱导晶化的方法制备出晶粒分布较均匀、晶粒尺寸0.5～5μm、晶化率达到89%的多晶硅薄膜。研究了衬底距离、衬底温度、退火温度对薄膜表面形貌、晶粒尺寸和分布及晶化率的影响。结果表明适中的衬底距离下得到的薄膜晶粒分布均匀,表面平整度好,薄膜厚度较大。薄膜的晶化率随着衬底温度和退火温度的提高而增大;随着退火温度的进一步提高,薄膜的晶化率达到最大值然后降低。
关键词:
多晶硅薄膜
,
铝诱导晶化
,
衬底温度
,
退火温度
骆旭梁
,
王思源
,
王宙
,
雍帆
,
付传起
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.02.013
采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1％时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55 μm,晶化率为96.82％,且晶粒的均匀性最佳.
关键词:
真空蒸镀
,
多晶硅薄膜
,
磷掺杂
,
晶化率
